착색된 직사각형 알루미늄 배관, 내밀린 알루미늄 창틀

착색된 알루미늄 배관, 알루미늄 합금 단면도를 위한 내밀린 알루미늄 창틀

사양:

프로세스 제어 요소는 다음과 같이 설명됩니다.

3, 테이블,

표면 조정은 불균일성으로 인한 표면 상태를 알칼리 탈지 또는 산세척하여 표면을 제거하고 알루미늄 표면에 많은 수의 매우 미세한 결정 중심을 형성하여 인산염 반응 속도를 가속화하여 인산염 피막 형성에 유리합니다.

(1) 심각한 오염, 칼슘 및 마그네슘 이온 함량이 더 크고 테이블 조정 액체의 안정성에 영향을 줄 수 있는 수조 수질의 영향, 목욕 준비는 사전에 연화제를 추가하여 영향을 제거할 수 있습니다. 시계의 수질.

(2) 일반적으로 USES를 규제하는 사용 시간표는 콜로이드 티타늄 염, 콜로이드 활성, 장기간 사용할 때 그 존재 또는 콜로이드 활성이 더 많이 포함된 불순물 이온이 손실될 수 있고 콜로이드 상태의 안정성이 파괴되고 슬롯 액체 침전 층화는 응집제를 가정하므로 이 때 욕조를 교체해야 합니다.

4, 인산염 처리

인산염화(Phosphatizing)는 화학적, 전기화학적 반응을 통해 인산염화막을 형성하는 인산염 화성막을 형성하는 과정입니다.인산염 처리의 주요 목적은 베이스의 알루미늄 재료를 보호하고 알루미늄의 부식을 어느 정도 방지하는 것입니다.코팅의 접착 및 부식 방지 능력은 코팅의 기초에 의해 향상됩니다.인산염 처리는 가장 중요한 연결, 복잡한 반응 메커니즘 및 영향 요인 중 하나 이전의 공정이므로 다른 생산 공정 제어를 위한 인산염 처리 슬롯 액체 수조는 훨씬 더 복잡합니다.

(1) 산비(유리산도에 대한 총산도의 비)

산 비율을 개선하면 인산염 반응 속도를 가속화하여 막을 얇고 섬세하게 만들 수 있지만 산 비율이 너무 높아 막을 너무 얇게 만들 수 없으며 쉽게 인산염이 재를 걸 수 있습니다.산은 산보다 낮고 인산염 반응 속도가 느리고 인산 결정은 크고 다공성이며 내식성이 낮고 형광체는 황청으로 만들어집니다.일반적으로 인산염 처리 시스템 또는 공식은 크기 요구 사항과 다릅니다.

(2) 온도

욕 온도가 증가하고 필름 속도가 너무 높지만 온도가 너무 높으면 욕의 안정성에 영향을 미치는 산비의 변화에 ​​영향을 미치고 결정 핵의 막 층이 부피가 커지고 슬롯 액체 슬래그 양이 증가합니다.

(3) 침전물의 양

진행중인 인산염 반응이 진행되는 욕조에서 침전물의 양이 점차 증가하고 과도한 양의 침전물이 공작물 표면의 계면 반응에 영향을 미치고 심각한 인산염 처리 필름 헤어 플라워를 유발하고 필름이 아닌 재를 걸기 때문에 목욕은 유물의 양에 따라 처리하고 적시에 트로프를 사용하고 퇴적 외에 슬래그 제거를 사용합니다.

(4) 아질산염 뿌리 NO-2(촉진제 농도)

"NO -2"는 인산염 처리 반응 속도를 가속화하고 인산염 막의 밀도 및 내식성을 개선하며 함량이 너무 높으면 막 층이 쉽게 희게 보이거나 빛나게 할 수 있습니다.너무 낮으면 필름이 느리고 인산염 처리막이 녹슬기 쉽습니다.

(5) SO2-4

산세 용액 농도가 너무 높거나 물 조절이 인산염 처리 슬롯 액체 황산 루트 이온에서 증가하기 쉽고, 높은 황산 루트 이온은 인산염 처리 반응 속도를 늦추고, 인산염 처리 필름 입자가 부피가 큰 다공성, 행 애쉬가 심각하고 부식 인산염 피막의 저항.

(6) 철 이온 Fe2 + :

인산염 용액의 아철 이온 농도가 너무 높으면 상온 인산염 처리막의 내식성이 저하됩니다.그것은 중온 인산염 과립을 크게 만들고 표면의 표면이 백색 재를 띄우고 부식 방지 능력이 감소합니다.슬래그의 양이 증가하고 용액이 흐려지며 산이 상승합니다.